掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統

    簡(jiǎn)要描述:掃描電鏡液體電化學(xué)原位系統通過(guò)MEMS芯片對薄層或納米電池系統施加電信號等,結合EDS等多種不同模式,實(shí)現從納米層面實(shí)時(shí)、動(dòng)態(tài)監測電極、電解液及其界面在工況下的微觀(guān)結構演化、反應動(dòng)力學(xué)、相變、化學(xué)變化、表/界面處的結構和成分演化等關(guān)鍵信息。

    • 產(chǎn)品型號:
    • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產(chǎn)廠(chǎng)家
    • 更新時(shí)間:2023-12-27
    • 訪(fǎng)  問(wèn)  量: 5925

    詳細介紹

    液體電化學(xué)-2.png


    我們的優(yōu)勢

    高分辨率

    MEMS微加工工藝,使電化學(xué)芯片視窗區域的氮化硅膜厚度最薄可達10nm,極大減少了對電子束的干擾,液相環(huán)境可達到納米級分辨率。


    高安全性

    1.市面常見(jiàn)的其他品牌液體樣品桿,由于受自身液體池芯片設計方案制約,只能通過(guò)液體泵產(chǎn)生的巨大壓力推動(dòng)大流量液體流經(jīng)樣品臺及芯片外圍區域,有液體大量泄露的安全隱患。其液體主要靠擴散效應進(jìn)入芯片中間的納米孔道,芯片觀(guān)察窗里并無(wú)真實(shí)流量流速控制。

    2.采用納流控技術(shù),通過(guò)壓電微控系統進(jìn)行流體微分控制,實(shí)現納升級微量流體輸送,原位納流控系統及樣品桿中冗余的液體量?jì)H有微升級別,有效保證電鏡安全。

    3.采用高分子膜面接觸密封技術(shù),相比于o圈密封,增大了密封接觸面積,有效減小滲漏風(fēng)險。

    4.采用超高溫鍍膜技術(shù),芯片視窗區域的氮化硅膜具有耐高溫低應力耐壓耐腐蝕耐輻照等優(yōu)點(diǎn)。


    多場(chǎng)耦合技術(shù)

    可在液相環(huán)境中實(shí)現光、電、熱、流體多場(chǎng)耦合。


    智能化軟件和自動(dòng)化設備

    1.人機分離,軟件遠程控制實(shí)驗條件,全程自動(dòng)記錄實(shí)驗細節數據,便于總結與回顧。

    2.全流程配備精密自動(dòng)化設備,協(xié)助人工操作,提高實(shí)驗效率。


    團隊優(yōu)勢

    1.團隊帶頭人在原位液相發(fā)展初期即參與研發(fā)并完善該方法。

    2.獨立設計原位芯片,掌握芯片核心工藝,擁有多項芯片patent。

    3.團隊20余人從事原位液相研究,可提供多個(gè)研究方向的原位實(shí)驗技術(shù)支持。



    技術(shù)參數

    類(lèi)別項目參數
    基本參數臺體材質(zhì)高強度鈦合金
    液層厚度納米至微米(可定制)
    氮化硅膜10nm,20nm,50nm(可定制)
    液體體積納升至皮升級











    應用案例






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    Electrochemical dissolution

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    Electrochemical deposition
































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